Mi az a GaN töltő?

A GaN betűszó mögötti gallium-nitrid egy olyan félvezető anyag, amelyet egyre több töltőben és tápegységben használnak, tulajdonképen a szilícium nagy teljesítményű alternatívájáról van szó. Az 1990-es években kezdték el használni, fontos szerepe volt a fehér színű LED-ek, a többek között a Blu-ray meghajtókban is található kék színű lézerek, valamint az LCD-kijelzők gyártásánál is. Vezetőképessége kiváló, jól tűri a magas hőmérsékletet, így a felsoroltakon túl lehetővé teszi a kis méretű, de nagy teljesítményű töltők készítését is.  

A modern GaN töltők jellemzően 50-65 wattos teljesítménnyel rendelkeznek, amely elég egy notebook, egy tablet és egy okostelefon egyidejű töltéséhez, méretük mégsem jelentősen nagyobb, mint egy pár évvel ezelőtti mobilos töltőé. Ráadásul sokkal kevésbé melegszenek a klasszikus töltőknél, ami nyilvánvalóan jó hatással van az élettartamra és a felhasználói élményre is, hiszen a túlhevült töltőket senki nem szereti sem fogdosni, sem a táskába berakni.  

Hogy az előnyöket számszerűsítsük is: a félvezeték vezetőképességét leíró band gap (magyarul energiahézag) érték a szilícium esetén 1,1, míg a gallium-nitridnél 3,4 eV (elektronvolt). A maximális hőmérséklet 150 helyett 600 Celsius-fok, frekvencia tekintetében pedig a szilícium 3,8 GHz-es platfonjával szemben a GaN esetében 12 GHz fölötti értékről is beszélhetünk. A különbséget tehát zongorázni lehet, ráadásul az anyag terjedésével az árak is mérséklődnek, úgyhogy ha egy töltőnél most azt látjuk, hogy GaN, akkor nem arra kell gondolnunk, hogy drága, hanem arra, hogy kicsi: persze a hagyományos szílicum-alapú töltőadaptereknél jelenleg még drágábbak a GaN töltők, de remélhetőleg a Xiaomi után más mobil- és notebookgyártók is átállnak majd erre a technológiára, ami az árak további csökkenését hozza majd magával. Aki pedig már most is szeretne egy kicsi és megbízható, mindent töltő adaptert, nézzen szét a Superial kínálatában.